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CMOS數(shù)字隔離器大大優(yōu)于其他隔離技術(shù)。立缸式液壓升降平臺(tái)例如，就電磁場性能而言。Si84xx隔離器具有市場在售的數(shù)字隔離元器件中zui高的EMI耐受性 >300V/m電場抗擾度，和>1000A /m磁場抗擾度）這些數(shù)字隔離器通過使用差分信號(hào)在隔離柵中進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，立缸式液壓升降平臺(tái)成對的窄通帶濾波提供了的共模噪聲抑制能力，

但變壓器一般應(yīng)避免使用，立缸式液壓升降平臺(tái)智能電表應(yīng)用中所使用的另一種隔離解決方案是隔離變壓器。因?yàn)樗菀资艿诫姶鸥蓴_（EMI而破壞數(shù)據(jù)。立缸式液壓升降平臺(tái)脈沖變壓器也不理想，因?yàn)槠湫枰加幂^寬帶寬，而帶寬對于數(shù)字信號(hào)傳輸是極為重要的

電表被安裝到電磁噪聲復(fù)雜的地點(diǎn)的概率較高。立缸式液壓升降平臺(tái)其次，有兩大原因使得電磁場（EM抑制力成為電表設(shè)計(jì)主要關(guān)注對象。首先。一些隔離技術(shù)可能是電表系統(tǒng)應(yīng)用中zui薄弱的環(huán)節(jié)。例如，立缸式液壓升降平臺(tái)應(yīng)用一個(gè)外部磁場到基于變壓器的系統(tǒng)將對數(shù)據(jù)的完整性發(fā)生不良影響，事實(shí)上也出現(xiàn)過客戶通過施加強(qiáng)磁鐵或線圈到儀器而中斷立缸式液壓升降平臺(tái)了電表正常工作的案例。這兩種情況下，外部磁場或電磁場噪聲將導(dǎo)致錯(cuò)誤測量數(shù)據(jù)提交到控制器。

基于CMOS數(shù)字隔離器提供相當(dāng)高的CMTI性能立缸式液壓升降平臺(tái)，現(xiàn)代CMOS數(shù)字隔離器克服了智能電表應(yīng)用中的這些問題。立缸式液壓升降平臺(tái)與光耦合器相比。同時(shí)保證了更長的工作壽命和高可靠性立缸式液壓升降平臺(tái)。例如，SiliconLab公司的Si84xxCMOS數(shù)字隔離器系列滿足通用CMTI規(guī)格25kV/μs新一代隔離元器件預(yù)計(jì)將比現(xiàn)有產(chǎn)品的性能水平提高兩倍。

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